FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 Infineon Poder más elevado del módulo 200A 1700V del módulo IGBT de IGBT
FF200R17KE4
Fabricante: Infineon
Tipo de producto: Módulos de IGBT
Configuración: Dual
voltaje máximo VCEO del Colector-emisor: 1,7 kilovoltios
voltaje de saturación del Colector-emisor: 1,95 V
Corriente de colector continua en 25 C: 310 A
corriente de la salida del Puerta-emisor: nA 100
disipación del Paladio-poder: W 1250
Paquete/caja: 62 milímetros
Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Paquete: Bandeja
Voltaje máximo de la puerta/del emisor: 20 V
Montaje de estilo: Soporte del chasis
Serie: Trenchstop IGBT4 - E4
Cantidad que embala: 10 PCS
Subcategoría: IGBTs
Tecnología: Si
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