Poder medio dual FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 del módulo de poder de 62M M IGBT

FF200R17KE4HOSA1   SP000713374    Infineon     PODER MEDIO 62M M DEL MÓDULO DE IGBT

FF200R17KE4

Fabricante: Infineon
Tipo de producto: Módulos de IGBT
Configuración: Dual
voltaje máximo VCEO del Colector-emisor: 1,7 kilovoltios
voltaje de saturación del Colector-emisor: 2,3 V
Corriente de colector continua en 25 C: 310 A
corriente de la salida del Puerta-emisor: nA 100
disipación del Paladio-poder: W 1250
Paquete/caja: Módulo
Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Paquete: Bandeja
Voltaje máximo de la puerta/del emisor: 20 V
Montaje de estilo: Soporte del chasis
Serie: FFXR17K4H
Cantidad que embala: 10 PCS
Subcategoría: IGBTs
Tecnología: Parada del foso/de campo