Transistor de alta velocidad de 20 A de la serie HB2 IGBT TO-247

Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de productos: Transistores IGBT
Tecnología: Si
Paquete/caja: TO-247-3
Estilo de montaje: a través del agujero
Configuración: único
Voltado máximo del colector emisor VCEO: 650 V
Voltado de saturación del colector-emitidor: 1,65 V
Ventilación máxima de la puerta/el emisor: - 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C: 40 A
Disposición de energía Pd: 147 W
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C
Embalaje: tubo
Marca: STMicroelectronics
Corriente de fuga del emisor de la puerta: 250 nA
Tipo de producto: Transistores IGBT
Envase Cantidad: 600 PCS
Subcategoría: IGBT
Peso de la unidad: 6,100 g