STGB30H65DFB2 ST Transistor 30 de alta velocidad de la serie HB2 IGBT D2PAK-3
Fabricante: STMicroelectronics
Categoría de productos: Transistores IGBT
Tecnología: Si
Tipo de montaje: SMD/SMT
Configuración: único
Voltado máximo del colector emisor VCEO: 650 V
Voltado de saturación del colector-emitidor: 1,65 V
Ventilación máxima de la puerta/el emisor: - 20 V, 20 V
Corriente continua del colector a 25 C: 50 A
Disposición de energía Pd: 167 W
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 175 C
Embalaje: carrete
Embalaje: cinta cortante
Envase: MouseReel
Marca: STMicroelectronics
Tipo de producto: Transistores IGBT
Paquete Cantidad: 1000 PCS
Subcategoría: IGBT
Peso de la unidad: 1,380 g
